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系統識別號 U0002-2806201011202400
中文論文名稱 有機奈米分子在ITO玻璃上自我組裝薄膜的特性研究
英文論文名稱 Studies of Nanoscale Organic Molecules SAMs on ITO-Glass
校院名稱 淡江大學
系所名稱(中) 化學學系碩士班
系所名稱(英) Department of Chemistry
學年度 98
學期 2
出版年 99
研究生中文姓名 張義正
研究生英文姓名 Yi-Cheng Chang
學號 697160017
學位類別 碩士
語文別 中文
口試日期 2010-06-18
論文頁數 132頁
口試委員 指導教授-李世元
共同指導教授-林世明
委員-李世元
委員-林世明
委員-王伯昌
委員-許博欽
中文關鍵字 有機奈米分子  表面化學修飾  導電式原子力顯微術  分子自我組裝單層膜 
英文關鍵字 c-AFM  Conductive Atomic Force Microscopy  ITO  Iddium Tin Oxide  Thiophenyl  Bithiophene  SAM  Self-Assembled Monolayer  Conductivity  Nanoscale Organic Molecules 
學科別分類 學科別自然科學化學
中文摘要 合成一系列有機奈米分子:以塞分及苯環所組成之主體架構化合物,藉由分子自我組裝薄膜技術(Self-Assembled Monolayer,SAM)在銦錫金屬氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)玻璃表面進行化學修飾,並透過導電式原子力顯微術(Conductive Atomic Force Microscopy,c-AFM)檢測其導電度及表面排列粗糙度,結果發現導電度只與SAM形成後最外層表面的分子結構有關。
英文摘要 Some nanoscale organic molecules were designed based on the combination of thiophenyl and phenyl structures. A series of designed compounds was successfully synthesized and theirs (SAM) formations on ITO-glass also were achieved. The conductance of these SAMs were measured by conductive Atomic Force Microscopy (c-AFM) technology. The experimental results showed that the conductivity values were determined by the contact surface structure of its SAM.
論文目次 目錄
第一章 緒論 .............................................. 1
1-1 分子自我組裝單層膜, ........................................... 2
1-1-1 分子自我組裝單層膜的簡介 ............................................................. 2
1-1-2 分子自我組裝單層膜的製備 ............................................................. 4
1-1-3 分子自我組裝單層膜的結構 ............................................................. 7
1-1-4 以芳香族化合物為主幹的自我組裝單層膜 ................................... 11
1-2 原子力顯微術 ................................................ 25
1-2-1 原子力顯微鏡的基本架構 ............................................................... 27
1-2-2 原子力顯微鏡的呈像原理及量測模式 ........................................... 30
1-2-3 力-距離曲線 ..................................................................................... 33
1-2-4 導電式原子力顯微術 ....................................................................... 35
1-3 有機分子自我組裝之表面性質與應用 ............................ 44
第二章 有機奈米分子的設計與合成 ......................... 52
2-1 分子的設計與合成 ............................................ 54
2-2 分子的吸收光譜及性質 ........................................ 64
2-3 反應條件及實驗步驟 .......................................... 69
2-4 實驗儀器與測試方法 .......................................... 81
第三章 分子自我組裝單層膜的性質量測 ..................... 83
3-1 實驗簡介 .................................................... 83
3-2 實驗儀器與藥品配製 .......................................... 87
3-3 實驗步驟 .................................................... 91
3-4 量測結果與討論 .............................................. 96
3-4-1 導電式原子力顯微術地勢分析 ....................................................... 96
3-4-2 導電式原子力顯微術電性分析 ..................................................... 103
3-4-3 水溶液式電化學量測 ..................................................................... 116
第四章 結論 ............................................ 122
第五章 參考資料 ........................................ 125

附圖目錄
圖 1 分子自我組裝單層膜之組成.............................................................................. 3
圖 2 超高真空設備(Ultrahigh Vacuum,UHV) ......................................................... 5
圖 3 在溶液中製備SAMs 1 ........................................................................................ 6
圖 4 聚矽氧烷(Polysiloxane)的共價鍵結結構1 ........................................................ 8
圖 5 可與金形成共價鍵之有機硫化物...................................................................... 8
圖 6 硫原子之對稱六角形排列1 ............................................................................... 9
圖 7 烷基直鏈偏離法線示意圖1 ............................................................................... 9
圖 8 有機硫化物與金-基質之反應機制 .................................................................. 10
圖 9 芳香族有機硫化物............................................................................................ 11
圖 10 硫酚化合物27 .................................................................................................. 12
圖 11 二聯苯硫化物28 .............................................................................................. 13
圖 12 CTPMT 雙分子層(CTPMT Bilayer) .............................................................. 15
圖 13 CTPMT 單分子層(CTPMT Monalayer) ......................................................... 16
圖 14 三聯苯烷基硫醇化合物.................................................................................. 17
圖 15 薄膜厚度之奇、偶數效應30 .......................................................................... 17
圖 16 Tilt Angle 之奇、偶數效應30 ......................................................................... 18
圖 17 三聯苯硫醇化合物之奇、偶數效應30 .......................................................... 18
圖 18 寡噻吩硫醇化合物.......................................................................................... 19
圖 19 寡噻吩硫化合物之SAMs 結構31 .................................................................. 19
圖 20 寡噻吩烷基硫醇化合物之SAMs 排列31 ...................................................... 20
圖 21 寡噻吩烷基硫醇化合物之SAMs 結構31 ...................................................... 20
圖 22 寡噻吩烷基硫醇化合物(SAM-Modified)之電化學性質31 .......................... 21
圖 23 4TC12H24SH 之SAMs 結構性質33 ................................................................ 23
圖 24 原子力顯微鏡基本架構.................................................................................. 27
圖 25 懸臂樑示意圖.................................................................................................. 28
圖 26 原子間距離-相對位能關係圖........................................................................ 31
圖 27 力-距離曲線圖................................................................................................ 33
圖 28 導電式原子力顯微鏡術示意圖...................................................................... 35
圖 29 有機硫化物之c-AFM 量測38 ........................................................................ 36
圖 30 烷基硫醇化合物之電阻值38 .......................................................................... 36
圖 31 苯環硫醇化合物之表面導電性質38 .............................................................. 37
圖 32 BM、BP1 及TP1 之表面導電性質39 ........................................................... 38
圖 33 BM、BP1 及TP1 之表面導電性質40 ........................................................... 39
圖 34 TP1、TP2 及TP3 之表面導電性質40 ........................................................... 39
圖 35 1T1、2T1、3T1 及4T1 化合物41 ................................................................. 40
圖 36 1T1、2T1、3T1 及4T1 化合物之表面導電性質41 ..................................... 40
圖 37 寡噻吩及烷基硫醇化合物之表面導電性質比較41 ...................................... 41
圖 38 聚苯胺之高分子結構...................................................................................... 42
圖 39 聚苯胺之表面形貌影像42c ............................................................................. 42
圖 40 聚苯胺之表面電性分佈42c ............................................................................. 42
圖 41 聚苯胺之表面導電性質42c ............................................................................. 43
圖 42 ITO 玻璃之表面修飾及OLED 元件43 .......................................................... 44
圖 43 TAA 化合物修飾後之OLED 元件性質43 .................................................... 45
圖 44 具有絕緣阻隔層之OLED 元件44 ................................................................. 45
圖 45 OLED 元件激光影像44 .................................................................................. 46
圖 46 ITO 玻璃之表面修飾(4TP-F4-TCNQ/ITO) 45 ................................................ 47
圖 47 OLED 元件(Al/Alq3/NPD/F4TCNQ-4TP/ITO)之導電及發光性質45 ........... 48
圖 48 OLED 元件(Ag-SAMs/Ag2O/m-MTDATA/NPB/Alq/LiF:Al:Ag) 之導電及發
光性質46............................................................................................................... 49
圖 49 ITO 玻璃之表面修飾應用於有機光伏打太陽能電池 .................................. 49
圖 50 奈米金粒子之分子自我組裝單層膜49 .......................................................... 50
圖 51 奈米金粒子之溶液顏色及吸收光譜49 .......................................................... 51
圖 52 奈米金粒子之多層膜結構49 .......................................................................... 51
圖 53 常見之分子自我組裝化學鍵結模式.............................................................. 54
圖 54 ITO 玻璃表面官能基之轉換 .......................................................................... 55
圖 55 ITO 玻璃之表面修飾 ...................................................................................... 55
圖 56 有機奈米單體分子.......................................................................................... 56
圖 57 C-1、C-2 及C-3 化合物之逆合成分析圖..................................................... 57
圖 58 A-2 化合物之合成 .......................................................................................... 58
圖 59 B-1、B-2 及B-3 化合物................................................................................. 58
圖 60 B-1 化合物之合成........................................................................................... 59
圖 61 B-2 及B-3 化合物之合成............................................................................... 59
圖 62 C-1、C-2 及C-3 化合物之合成方法............................................................. 60
圖 63 C-1 化合物之合成........................................................................................... 60
圖 64 C-2 化合物之合成........................................................................................... 61
圖 65 C-3 化合物之合成........................................................................................... 61
圖 66 T-1 化合物之逆合成分析圖 ........................................................................... 62
圖 67 2TB 化合物之合成 ......................................................................................... 63
圖 68 T-1 化合物之合成 ........................................................................................... 63
圖 69 C-1 化合物之吸收光光譜............................................................................... 64
圖 70 C-2 化合物之吸收光光譜............................................................................... 65
圖 71 C-3 化合物之吸收光光譜............................................................................... 65
圖 72 T-1 化合物之吸收光光譜 ............................................................................... 66
圖 73 C-1、C-2、C-3 及T-1 化合物之吸收光光譜 ............................................... 66
圖 74 導電式原子力顯微術量測示意圖.................................................................. 84
圖 75 水溶液式電化學量測示意圖.......................................................................... 86
圖 76 ITO 玻璃之連結分子反應 .............................................................................. 91
圖 77 ITO 玻璃之表面修飾反應 .............................................................................. 92
圖 78 ITO 玻璃之表面電荷修飾反應 ...................................................................... 93
圖 79 金工作電極之連結分子反應.......................................................................... 94
圖 80 金工作電極之表面修飾反應.......................................................................... 95
圖 81 ITO-Blank 及C-1-Modified 之表面形貌 ....................................................... 97
圖 82 ITO-Blank 及C-2-Modified 之表面形貌 ....................................................... 98
圖 83 ITO-Blank 及C-3-Modified 之表面形貌 ....................................................... 99
圖 84 ITO-Blank 及T-1-Modified 之表面形貌 ..................................................... 100
圖 85 SAM-Modified 之表面形貌 .......................................................................... 101
圖 86 ITO-Blank、C-3-Modified 及Charged C-3-Modified 之表面形貌 ............ 102
圖 87 ITO-Blank 及C-1-Modified 之表面電性分佈 ............................................. 104
圖 88 ITO-Blank 及C-1-Modified 之I-V 關係圖(左圖),Error bar,Ra=Avg±S,
n=3(右圖) ......................................................................................................... 105
圖 89 ITO-Blank 及C-2-Modified 之表面電性分佈 ............................................. 106
圖 90 ITO-Blank 及C-2-Modified 之I-V 關係圖(左圖),Error bar,Ra=Avg±S,
n=3(右圖) ......................................................................................................... 107
圖 91 ITO-Blank 及C-3-Modified 之表面電性分佈 ............................................. 108
圖 92 ITO-Blank 及C-3-Modified 之I-V 關係圖(左圖),Error bar,Ra=Avg±S,
n=3(右圖) ......................................................................................................... 109
圖 93 ITO-Blank 及T-1-Modified 之表面電性分佈 ............................................. 110
圖 94 ITO-Blank 及T-1-Modified 之I-V 關係圖(左圖),Error bar,Ra=Avg±S,
n=3(右圖) ......................................................................................................... 111
圖 95 T-1 化合物所形成之分子自我組裝單層膜 ................................................. 112
圖 96 C-3 化合物經表面電荷修飾所形成之分子自我組裝單層膜..................... 113
圖 97 ITO-Blank、C-3-Modified 及Charged C-3-Modified 之表面電性分佈 .... 114
圖 98 ITO-Blank、C-3-Modified 及Charged C-3-Modified 之I-V 關係圖(左圖),
Error bar,Ra=Avg±S,n=3(右圖) ................................................................. 115
圖 99 Au-Blank 及C-1-Modified 之CV 圖譜 ....................................................... 117
圖 100 Au-Blank 及C-1-Modified 之I-V 關係圖 ................................................. 117
圖 101 Au-Blank 及C-2-Modified 之CV 圖譜 ..................................................... 118
圖 102 Au-Blank 及C-2-Modified 之I-V 關係圖 ................................................. 118
圖 103 Au-Blank 及C-3-Modified 之CV 圖譜 ..................................................... 119
圖 104 Au-Blank 及C-3-Modified 之I-V 關係圖 ................................................. 119
圖 105 Au-Blank 及T-1-Modified 之CV 圖譜 ...................................................... 120
圖 106 Au-Blank 及T-1-Modified 之I-V 關係圖 .................................................. 120


附表目錄
表 1 硫醇化合物與金屬基質形成SAMs 的相關性質2 ......................................... 14
表 2 顯微鏡量測功能之比較.................................................................................... 26
表 3 C-1、C-2、C-3 及T-1 化合物之吸收光性質 ................................................. 67
參考文獻 (1) Ulman, A. Chem. Rev. 1996, 96, 1533.
(2) Love, J. C.; Estroff, L. A.; Kriebel, J. K.; Nuzzo, R. G.; Whitesides, G.
M. Chem. Rev. 2005, 105, 1103.
(3) Bigelow, W. C.; Pickett, D. L.; Zisman, W. A. J. Colloid Interface Sci.
1946, 1, 513.
(4) (a) Poirier, F. E.; Pylant, E. D. Science 1996, 272, 1145.
(b) Schreiber, F.; Eberhardt, A.; Leung, T. Y. B.; Schwartz, P.;
Wetterer, S. M.; Lavrich, D. J.; Berman, L.; Fenter, P.; Eisenberger, P.;
Scoles, G. Phys. Rev. B 1998, 57, 12467.
(c) Eberhardt, A.; Fenter, P.; Eisenberger, P. Surf. Sci. Lett.1998, 397,
L285.
(d) Schwartz, P.; Schreiber, F.; Eisenberger, P.; Scoles, G. Surf. Sci.
1999, 423, 208.
(e) Poirier, G. E. Langmuir 1991, 15, 1167.
(5) (a) Sagiv, J. J. Am. Chem. Soc. 1980, 102, 92.
(b) Silberzan, P.; Le´ger, L.; Ausserre´, D.; Benattar, J. J. Langmuir
1991, 7, 1647.
(c) Wasserman, S. R.; Tao, Y. -T.; Whitesides, J. M. Langmuir 1989,
5, 1074.
(d) Le Grange, J. D.; Markham, J. L.; Kurjian, C. R. Langmuir 1993, 9,
1749.
(e) Maoz, R.; Sagiv, J. J. Colloid Interface Sci. 1984, 100, 465.
(f) Gun, J.; Sagiv, J. J. Colloid Interface Sci. 1986, 112, 457.
(6) (a) Brandriss, S.; Margel, S. Langmuir 1993, 9, 1232.
(b) Mathauser, K.; Frank, C. W. Langmuir 1993, 9, 3002.
(c) Mathauser, K.; Frank, C. W. Langmuir 1993, 9, 3446.
(7) Gun, J.; Sagiv, J. J. Colloid Interface Sci. 1986, 112, 457.
(8) (a) Carson, G.;Granick, S. J. Appl. Polym. Sci. 1989, 37, 2767.
(b) Kessel, C. R.; Granick, S. Langmuir 1991, 7, 532.
(c)Schwartz, D. K.; Steinberg, S.; Israelachvili, J.; Zasadzinski, Z. A.
N. Phys. Rev. Lett. 1992, 69, 3354.
(9) Koide, Y.; Such, M. W.; Basu, R.; Evmenenko, G.; Cui, J.; Dutta,
P.; Hersam, M. C.; Marks, T. J. Langmuir 2003, 19, 86.
(10) Long, Y.-T.; Herrworth, S.; Eck, W.; Grunze, M. Phys. Chem.
Chem. Phys. 2002, 4, 522.
(11) (a) Helmy, R.; Fadeev, A. Y. Langmuir 2002, 18, 8924.
(b) Fadeev, A. Y.; Helmy, R.; Marcinko, S. Langmuir 2002, 18, 7521.
(c) Marcinko, S.; Helmy, R.; Fadeev, A. Y. Langmuir 2003, 19, 2752.
(12) (a) Fadeev, A. Y.; Helmy, R.; Marcinko, S. Langmuir 2002, 18,
7521.
(b) Marcinko, S.; Helmy, R.; Fadeev, A. Y. Langmuir 2003, 19, 2752.
(13) Gun, J.; Sagiv, J. J. Colloid Interface Sci. 1986, 112, 457.
(14) (a) Gun, J.; Iscovici, R.; Sagiv, J. J. Colloid Interface Sci. 1984, 101,
201.
(b) Tillman, N.; Ulman, A.; Schildkraut, J. S.; Penner, T. L. J. Am.
Chem. Soc. 1988, 110, 6136.
(15) Laibinis, P. E.; Whitesides, G. M.; Allara, D. L.; Tao, Y. T.;
Parikh, A. N.; Nuzzo, R. G. J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 7152.
(16) Han, S. M.; Ashurst, W. R.; Carraro, C.; Maboudian, R. J. Am.
Chem. Soc. 2001, 123, 2422.
(17) (a) Magnussen, O. M.; Ocko, B. M.; Duetsch, M.; Regan, M. J.;
Pershan, P. S.; Abernathy, D.; Gurebel, G.; Legrand, J.-F. Nature
(London) 1996, 384, 250.
(b) Muskal, N.; Mandler, D. Electrochim. Acta. 1999, 45, 537.
(c) Deutsch, M.; Magnussen, O. M.; Ocko, B. M.; Regan, M. J.;
(d) Pershan, P. S. Thin Films (San Diego) 1998, 24, 179.
(18) Mekhalif, Z.; Laffineur, F.; Couturier, N.; Delhalle, J. Langmuir
2003, 19, 637.
(19) Love, J. C.; Wolfe, D. B.; Haasch, R.; Chabinyc, M. L.; Paul, K.
E.; Whitesides, G. M.; Nuzzo, R. G. J. Am. Chem. Soc. 2003,
125, 2597.
(20) Li, Z.; Chang, S.-C.; Williams, R. S. Langmuir 2003, 19, 6744.
(21) Sinapi, F.; Forget, L.; Delhalle, J.; Mekhalif, Z. Appl. Surf. Sci.
2003, 212-213, 464.
(22) (a) Laibinis, P. E.; Whitesides, G. M.; Allara, D. L.; Tao, Y. T.;
Parikh, A. N.; Nuzzo, R. G. J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 7152.
(b) Tour, J. M.; Jones, L., II; Pearson, D. L.; Lamba, J. J. S.; Burgin,
T. P.; Whitesides, G. M.; Allara, D. L.; Parikh, A. N.; Atre, S. J.
Am. Chem. Soc. 1995, 117, 9529.
(c) Cai, L.; Yao, Y.; Yang, J.; Price, D. W., Jr.; Tour, J. M. Chem.
Mater. 2002, 14, 2905.
(d) Troughton, E. B.; Bain, C. D.; Whitesides, G. M.; Nuzzo, R. G.;
Allara, D. L.; Porter, M. D. Langmuir 1988, 4, 365.
(e) Nuzzo, R. G.; Allara, D. L. J. Am. Chem. Soc. 1983, 105, 4481.
Willey, T. M.; Vance, A. L.; Bostedt, C.; Van Buuren, T.;
Meulenberg, R. W.; Terminello, L. J.; Fadley, C. S. Langmuir
2004, 20, 4939.
(f) Colorado, R., Jr.; Villazana, R. J.; Lee, T. R. Langmuir 1998,
14, 6337.
(g) Lee, M.-T.; Hsueh, C.-C.; Freund, M. S.; Ferguson, G. S.
Langmuir 2003, 19, 5246.
(23) (a) Strong, L.; Whitesides, G. M. Langmuir 1988, 4, 546.
(b) Chidsey, C. E. D.; Loiacono, D. N. Langmuir 1990, 6, 709.
(c) Dubois, L. H.; Zegarski, B. R.; Nuzzo, R. G.; J. Chem. Phys. 1993,
98, 678.
(d) Chidsey, C. E. D.; Liu, G.-Y.; Rowntree, Y. P.; Scoles, G. J.
Chem.Phys. 1989, 91, 4421.
(24) Alves, C. A.; Smith, E. L.; Porter, M. D. J. Am. Chem. Soc. 1992,
114, 1222.
(25) (a) Brust, M.; Walker, M.; Bethell, D.; Schiffrin, D. J.; Whyman, R.
J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1994, 801.
(b) Thomas, R. C.; Sun, L.; Crooks, M. Langmuir 1991, 7, 620.
(c) Chailapakul, O.; Sun, L.; Xu, C.; Crooks, M. J. Am. Chem. Soc.
1993, 115, 12459.
(26) Tour, J. M.; Jones, L.; Pearson, D. L.; Lamba, J. J. S.; Burgin, T. P.;
Whitesides, G. M.; Allara, D. L.; Parikh, A. N.; Atre, S. V. J. Am.
Chem. Soc. 1995, 117, 9529.
(27) Frey, S.; Stadler, V.; Heister, K.; Eck, W.; Zharnikov, M.; Grunze,
M.; Zeysing, B.; Terfort, A. Langmuir 2001, 17, 2408.
(28) Kang, J. F.; Ulman, A.; Liao, S.; Jordan, R.; Yang, G.; Liu, G.-y.
Langmuir 2001, 17, 95.
(29) Himmel, H.-J.; Terfort, A.; Woell, C. J. Am. Chem. Soc. 1998,
120, 12069.
(30) Shaporenko, A.; Brunnbauer, M.; Terfort, A.; Grunze, M.;
Zharnikov, M. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 14462.
(31) Liedberg, B.; Yang, Z.; Engquist, I.; Wirde, M.; Gelius, U.; Go¨tz,
G.; Ba¨uerle, P.; Rummel, R. M.; Ziegler, C.; Gopel, W. J. Phys.
Chem. B 1997, 101, 5951.
(32) (a) Michalitsch, R.; Lang, P.; Yassar, A.; Nauer, G.; Garnier, F. Adv.
Mater. 1997, 9, 321.
(b) Michalitsch, R.; El Kassmi, A.; Lang, P.; Yassar, A.; Garnier, F. J.
Chim. Phys. Phys.-Chim. Biol. 1998, 95, 1339–1342.
(c) Michalitsch, R.; El Kassmi, A.; Yassar, A.; Lang, P.; Garnier, F. J.
Electroanal. Chem. 1998, 457, 129.
(d) Michalitsch, R.; Nogues, C.; Najari, A.; El Kassmi, A.; Yassar, A.;
Lang, P.; Garnier, F. Synth. Met. 1999, 101, 5–6.
(e) Michalitsch, R.; Nogues, C.; Najari, N.; ElKassmi, A.; Yassar, A.;
Lang, P.; Vilar, M. R.; Garnier, F. Synth. Met. 1999, 102, 1319.
(f) Michalitsch, R.; El Kassmi, A.; Yassar, A.; Garnier, F. J.
Heterocycl. Chem. 2001, 38, 649.
(33) Nogues, C.; Lang, P.; Desbat, B.; Buffeteau, T.; Leiserowitz, L.;
Langmuir 2008, 24, 8458.
(34) Mishra, A.; Ma, C. Q.; Ba¨uerle, P. Chem. Rev. 2009, 109, 1141.
(35) (a) Benning, G.; Rohrer, H.; Gerber, C. H.; Weible, E. Phy. Rev. Lett.
1982, 49, 57.
(b) Tersoff, J.; Hamann, D. R.; Phy. Rev. B 1985, 31, 805.
(c) Benning, G.; Rohrer, H.; Rev. Mod. Phys. 1999, 71, 324.
(36) Benning, G.; Quate, C. F.; Gerber, Ch. Phy. Rev. Lett. 1986, 56, 930.
(37) Morris, V. J.; Kirby, A. R.; Gunning, A. P.; Imperial College Press ;
October 1999, London, ISBN:1860941990
(38) (a) Wold, D.J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 2970.
(b) Word, D. J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5549.
(c) Beebe, J. M.; Engelkes, V. B.; Miller, L. L.; Frisbie, C. D. J. Am.
Chem. Soc. 2002, 124, 11268.
(39) Wold, D. J.; Haag, R.; Rampi, M. A.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. B
2002, 106, 2813.
(40) Ishida, T.; Mizutani, W.; Aya, Y.; Ogiso, H.; Sasaki, S.; Tokumoto, H.
J. Phys. Chem. B 2002, 106, 5886.
(41) Sakaguchi, H.; Hirai, A.; Iwata, F.; Sasaki, A.; Nagamura, T.;
Kawata, E.; Nakabayashi, S. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3708.
(42) (a) Lee, H. J.; Park, S. M. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 16365.
(b) Hong, S. Y.; Park, S. M. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9305.
(c) Hag, D. H.; Kim, J. W.; Park, S. M. J. Phys. Chem. B 2006, 110,
14874.
(d) Cho, S. H.; Park, S. M. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 25656.
(43) (a) Cui, J.; Huang, Q.; Wang, Q.; Marks, T. J. Langmuir 2001, 17,
2051.
(b) Yan, .H; Huang, Q.; Cui, J.; Veinot, J.-G. C.; Kern, M. M.; Marks,
T. J. Adv. Mater. 2003, 15, 835.
(44) Koide, Y.; Such, M. W.; Basu, R.; Evmenenko, G.;
Cui, J.; Dutta, P.; Hersam, M. C.; Marks, T. J. Langmuir 2003, 19, 86.
(45) (a) Hanson, E. L.; Schwartz, J.; Nickel, B.; Koch, N.; Danisman, M.
F. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 16074.
(b) Hanson, E. L.; Guo, J.; Koch, N.; Schwartz, J.; Bernasek, S. L. J.
Am. Chem. Soc. 2005, 127, 10058.
(46) Hung, M.-C.; Wu, K.-Y.; Tao, Y.-T.; Huang, H.-W. Appl. Phys. Lett.
2006, 89, 203106.
(47) Hwang, E.; de Silva, K. M. N.; Seevers, C. B.; Li, J. R.; Garno, J. C.;
Nesterov, E. E. Langmuir 2008, 24, 9700.
(48) Rider, D.A.; Harris, K. D.; Wang, D.; Bruce, J.; Fleischauer, M. D.;
Tucker, R. T.; Brett, M. J.; Buriak, J. M. ACS Appl. Mater. Interfaces,
2009, 1, 279.
(49) Mottaghi, M.; Lang, P.; Rodriguez, F.; Rumyantseva, A.; Yassar, A.;
Horowitz, G.; Lenfant, S.; Tondelier, D.; Vuillaume, D. Adv. Funct.
Mater. 2007, 17, 597.
(50) Chirea, M.; Pereira, C. M.; Silva, F. J. Phys. Chem. B 2007, 111,
9255.
(51) (a) Mushrush, M.; Facchetti, A.; Lefenfeld, M.; Katz, H. E.; Marks,
T. J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 9414.
(b) Chesterfield, R. J.; Newman, C. R.; Pappenfus, T. M.; Ewbank, P.
C.; Haukaas, M. H.; Mann, K. R.; Miller, L. L.; Frisbie, C. D. Adv.
Mater. 2003, 15, 1278.
(c) Facchetti, A.; Mushrush, M.; Katz, H. E.; Marks, T. J. Adv. Mater.
2003, 15, 33.
(d) Facchetti, A.; Yoon, M. H.; Stern, C. L.; Katz, H. E.; Marks, T. J.
Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 3900.
(e) Meng, H.; Zheng, J.; Lovinger, A. J.; Wang, B. C.; Van Patten, P.
G.; Bao, Z. N. Chem. Mater. 2003, 15, 1778.
(f) Yassar, A.; Demanze, F.; Jaafari, A.; El Idrissi, M.; Coupry, C. Adv.
Funct. Mater. 2002, 12, 699.
(g) Mena-Osteritz, E.; Ba¨uerle, P. Adv. Mater. 2006, 18, 447.
(52) (a) Lee, A. S.-Y.; Dai, W.-C. Tetrahedron. Lett. 1996, 37, 495.
(b) Lee, A. S.-Y.; Dai, W.-C. Tetrahedron 1997, 53, 859.
(53) 淡江大學已進行專利之申請(台灣及美國)
(54) Das, J.; Huh, C.-H.; Kwon, K.; Park, S.; Jon, S.; Kim, K. Yang, H.
Langmuir 2009, 25, 235.
(55) (a) Quist, F.; Vande Velde, C. M. L. ; Didier, D.; Teshome, A.
Asselberghs, I.; Clays, K.; Sergeyev, S. Dyes and Pigments 2009, 81,
203.
(b) Herbivo, C.; Comel, A.; Kirsch, G.; Raposo, M. M. M.
Tetrahedron 2009, 65, 2079.
(56) Yuan, M.; Zhan, S.; Zhou, X.; Liu, Y.; Feng, L.; Lin, Y.; Zhang, Z.;
Hu, J. Langmuir 2008, 24, 8707.
(57) Takao, K.; Ikeda, Y. Chem. Lett. 2008, 7, 682.
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