淡江大學覺生紀念圖書館 (TKU Library)
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系統識別號 U0002-2201201314401300
中文論文名稱 塊材Mo2S3摻雜系統之電性與磁性研究
英文論文名稱 The study of transport and magnetic properties on doped Mo2S3 system
校院名稱 淡江大學
系所名稱(中) 物理學系碩士班
系所名稱(英) Department of Physics
學年度 101
學期 1
出版年 102
研究生中文姓名 廖竑悳
研究生英文姓名 Hung-De Liao
學號 698210217
學位類別 碩士
語文別 中文
口試日期 2013-01-11
論文頁數 42頁
口試委員 指導教授-錢凡之
委員-張經霖
委員-謝輝煌
中文關鍵字 Mo2S3  摻雜 
英文關鍵字 doped  Mo2S3 
學科別分類 學科別自然科學物理
中文摘要 當x≧0.5時,塊材SixMo2S3-x是屬於混合有兩或三種晶相的樣品,不過它也顯示出一些有趣的電性與磁性。本實驗的重點在於找出擁有這些電磁特性的單相結構。目前看出它可能是Px-MoS2、MoSi2與Mo5Si3之混合物。
英文摘要 When x≧0.5, bulk SixMo2S3-x samples are composed of two or three crystalline phases including MoSi2, MoS2, and Mo5Si3. The samples revealed some interesting electrical and magnetic properties. This report is to find out the phases which are responsible for these electrical and magnetic properties.
論文目次 目錄
第一章 實驗背景與動機...1
1.1超導物理的歷史與背景...1
1.2 實驗動機...5
1.3 實驗進行方向...7
第二章 實驗儀器裝置及量測原理...9
2.1 分析天平...9
2.2 壓模機...9
2.3 高溫爐...10
2.4 X-光繞射分析系統與理...10
2.5低溫電阻量測系統與原理...11
2.6 結構建構軟體 (Diamond Version 3.0d)...13
第三章 樣品的製程
3.1 塊材樣品製備...14
3.1.1配粉...15
3.1.2壓片...15
3.1.3封管...15
3.1.4第一次預燒...15
3.1.5第二次燒結...16
3.1.6 MoSi2燒結條件...16
第四章 實驗數據與分析...17
4.1 文獻Mo2S3[15][16][17][18]之結構與電性分析...17
4.2 A0.1Mo2S2.9...21
4.2.1 A0.1Mo2S2.9樣品電性分析...21
4.2.2 A0.1Mo2S2.9樣品結構分析...23
4.3 SixMo2S3-x...25
4.3.1 SixMo2S3-x樣品電性分析...25
4.3.2 SixMo2S3-x樣品磁性分析...26
4.3.3 SixMo2S3-x樣品結構分析...28
4.4 SiMoSx...29
4.4.1 SiMoSx樣品電性分析...29
4.4.2 SiMoSx樣品磁性分析...30
4.4.3 SiMoSx樣品結構分析...32
4.5 MoSix...36
4.6 Si2MoSx...38
第五章 結論...39
5.1 SiMoSx (2.0 5.2 SiMoSx (1.0≦x≦2.0)...39
5.3 SiMoSx (0 5.4 MoSix (1.5≦x≦2.2)...40
5.5 Si2MoSx (0.2≦x≦0.8)...40
參考文獻...41

圖表目錄
圖(1-1)為水銀的電阻率對溫度關係圖……………………………………..………1
圖(1-2)為超導體發展歷程……………………………………………………….…………6
圖(2-1)為X光繞射圖............................................................................11
圖(2-2)為標準四點探針量測法.............................................................12
圖(4-1)二重旋移21作用…………………………………………………………………….18
圖(4-2) Mo2S3晶體結構………………………………………………………….…………..18
圖(4-3) 為Mo2S3單位晶格內的原子位置…………………………..…………….19
圖(4-4) A0.1Mo2S2.9電阻率對溫度的關係圖..........................................21
圖(4-5) Mo2S3在降溫速率 1K/min 下的電阻率對溫度關係圖……..22
圖(4-6) A0.1Mo2S2.9的X-ray繞射圖…………………………………………………..23
圖(4-7) 純Mo2S3的X-ray繞射圖…………………………………………………….24
圖(4-8) SixMo2S3-x (0.2≦x≦0.5)電阻率對溫度的關係圖…………………25
圖(4-9) Si0.2Mo2S2.8的磁化率曲線χ(T)圖………………………………………….26
圖(4-10) Si0.33Mo2S2.67的磁化率曲線χ(T)圖……………………………………..27
圖(4-11) Si0.5Mo2S2.5的磁化率曲線χ(T)圖………………………………………..27
圖(4-12) SixMo2S3-x (0≦x≦2.13)的X-ray繞射圖……………………………..28
圖(4-13) SiMoSx (1.0≦x≦2.0)電阻率對溫度的關係圖…………………….29
圖(4-14) SiMoS2的磁化率曲線χ(T)圖………………………………………………30
圖(4-15) SiMoS2的磁化率曲線χ(T)圖………………………………………………30
圖(4-16) SiMoSx (x=2.2~2.8)的X-ray繞射圖……………………………………32
圖(4-17) SiMoSx (x=1.0~2.0)的X-ray繞射圖……………………………………33
圖(4-18) SiMoSx (x=0.2~0.8)的X-ray繞射圖……………………………………33
圖(4-19) Mo5Si3的X-ray繞射峰……………………………………………………….35
圖(4-20) MoSix(x=1.5~2.2)的X-Ray繞射圖……………………………………..36
圖(4-21) Si2MoSx(x=0.2~0.8)的X-Ray繞射圖………………………………….38
表(1-1)為超導材料發現的歷程…………………………………..………………..…..3
表(3-1)各藥粉純度………………………………………………………………………..…..14
表(4-1) 為Mo2S3的每個原子位置…………………………………………………….20
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