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系統識別號 U0002-1907201114134300
DOI 10.6846/TKU.2011.00686
論文名稱(中文) La2-xSrxNiO4的電荷條制之X-ray散射研究
論文名稱(英文) Study of the charge stripes in La2-xSrxNiO4 using X-ray scattering
第三語言論文名稱
校院名稱 淡江大學
系所名稱(中文) 物理學系碩士班
系所名稱(英文) Department of Physics
外國學位學校名稱
外國學位學院名稱
外國學位研究所名稱
學年度 99
學期 2
出版年 100
研究生(中文) 簡名紀
研究生(英文) Ming-Ji Jian
學號 697210150
學位類別 碩士
語言別 繁體中文
第二語言別
口試日期 2010-06-13
論文頁數 68頁
口試委員 指導教授 - 杜昭宏
委員 - 湯茂竹
委員 - 薛宏中
關鍵字(中) La2-xSrxNiO4
電荷條紋
關鍵字(英) La2-xSrxNiO4
Charge stripe
第三語言關鍵字
學科別分類
中文摘要
La2-xSrxNiO4 (LSNO)是藉由La2NiO4摻雜金屬元素鍶(Sr)所形成的。隨著溫度及摻雜量的變化,LSNO會形成電荷有序排列(charge-ordering)和自旋有序排列(spin-ordering)兩種不同的電子結構排列狀態。此論文是利用X-ray 散射,來研究La2-xSrxNiO4系統中由電荷有序排列所形成的調制結構與Sr含量的關係,也可藉此來探討La2-xSrxNiO4系統由調制結構所產生的相變化。因調製結構的波向量Q與Sr含量有密切相關,所以在摻雜量x=0.33中,電荷與電子自旋調制結構的Q值在某些位置是重疊的。與其它摻雜量相比,其繞射峰的積分強度與半高寬之結果明顯不同,而量測方式的不同,也會導致隨溫度變化的行為曲線有所不同。藉由不同摻雜量間的互相比較,我們觀察到電荷條紋有序排列結構確實會因摻雜量的不同,而導致在降溫過程中產生不同的變化行為。
英文摘要
La2-xSrxNiO4 (LSNO) is isostructural to the high-Tc superconductor La2-xSrxCuO4 (LSCO), but remains no appearance of superconductivity even up to about 75% contents of Sr. This has been known to be caused by the formation of static charge and spin modulations. As x-rays are sensitive to charges, we report the study of the charge modulation in LSNO as a function of temperature and the concentration of Sr using high resolution x-ray scattering. The transition temperature and wavvector for the formation of charge modulation were observed to be dominated by the concentrations of Sr. In addition, for the optimal doped compound, x~0.33, the evolution of the correlation length as a function of temperature along the L-direction displays an unusual behavior around the transition temperature, suggesting the possible existence of inverse melting.
第三語言摘要
論文目次
目錄
第一章  緒論	1
第二章 基本理論	3
2.1 X-ray 簡介	3
2.1.1 Bragg’s Law(布拉格原理)	4
2.1.2 倒晶格空間(reciprocal space)	6
2.1.3 晶體體系	9
2.2 同步輻射介紹	13
2.3 Jahn-Teller distortion	15
2.4 莫特絕緣體(Mott-insulator)	18
2.5 電荷和自旋有序排列 (charge and spin ordering)	18
第三章  樣品介紹及實驗方法	21
3.1 樣品介紹	21
3.2實驗儀器介紹	25
3.3 實驗方法與步驟	30
第四章:實驗結果與分析	37
4.1 擬合函數	37
4.2 La2-xSrxNiO4,x = 0.225實驗數據	41
4.3 La2-xSrxNiO4,x = 0.33實驗數據	48
4.4 La2-xSrxNiO4,x = 0.4實驗數據	51
4.5 實驗數據分析討論	53
4.6 數據結果	63
第五章:結論	64


圖表目錄
圖(2-1-1) 布拉格晶格繞射圖	5
圖(2-1-2) 建設性干涉示意圖	5
圖(2-1-3) 破壞性干涉示意圖	5
圖(2-1-4) 實空間(real space)之繞射條件	8
圖(2-1-5)  Ewald sphere	8
圖(2-1-6) 單位晶胞(unit cell)	9
圖(2-1-7)  Bravais lattices	11
表(2-1-1)  Lattice plane spacings	12
圖(2-2-1) 同步輻射光示意圖	13
圖(2-2-2) 國家同步輻射研究中心之加速器系統	14
圖(2-2-3) 插件磁鐵	14
圖(2-3-1)  3d軌域電子雲分佈	16
圖(2-3-2)  Ni3+離子在3d電子軌域排列示意圖	17
圖(2-3-3) 正八面體扭曲示意圖	17
圖(2-4-1) 鐵磁性及反鐵磁性電子自旋排列	19
圖(2-4-2) 不同價數之Ni離子及自旋排列	20
圖(3-1-1)  La2-xSrxNiO4晶格結構示意圖	21
圖(3-1-2) 隨溫度變化,電子結構變化示意圖	23
圖(3-1-3) 電荷及自旋有序排列在倒晶格中之位置示意圖	24
圖(3-2-1)  BL07A八環繞射儀	26
圖(3-2-2) 四環繞射儀	26
圖(3-2-3)  ARS ED202G	28
圖(3-2-4)  LakeShore model 331 溫控器	28
圖(3-2-5) 真空幫浦turbo	29
圖(3-2-6) 低溫氦氣壓縮機	29
圖(3-3-1) 實驗設置圖	31
圖(3-3-2) 針尖校正-1	32
圖(3-3-3) 針尖校正-2	32
圖(3-3-4) 針尖校正-3	33
圖(3-3-5) 鈹(Be)窗示意圖	34
圖(3-3-6)  Analyzer架設示意圖	35
圖(3-3-7) 有無分光儀之比較	36
圖(4-1-1)  Lorentzian function半高寬定義示意圖	40
圖(4-1-2)  Gaussian function半高寬定義示意圖	40
圖(4-2-1)  E=10KeV,La1.775Sr0.225NiO4 積分強度之比較	43
圖(4-2-2)  E=10KeV,La1.775Sr0.225NiO4半高寬之比較	43
圖(4-2-3)  E=12KeV,La1.775Sr0.225NiO4積分強度之比較	45
圖(4-2-4)  E=12KeV,La1.775Sr0.225NiO4半高寬之比較	45
圖(4-2-5)  E=16KeV,La1.775Sr0.225NiO4 積分強度之比較	47
圖(4-2-6)  E=16KeV,La1.775Sr0.225NiO4半高寬之比較	47
圖(4-3-1)  E=10KeV,La1.67Sr0.33NiO4升溫量測之積分強度的比較	49
圖(4-3-2)  E=10KeV,La1.67Sr0.33NiO4升溫量測之半高寬的比較	49
圖(4-3-3)  E=10KeV,La1.67Sr0.33NiO4降溫量測之積分強度的比較	50
圖(4-3-4)  E=10KeV,La1.67Sr0.33NiO4降溫量測之半高寬的比較	50
圖(4-4-1)  E=10KeV,La1.6Sr0.4NiO4積分強度之比較	52
圖(4-4-2)  E=10KeV,La1.6Sr0.4NiO4半高寬之比較	52
圖(4-5-1)  不同能量下,La1.775Sr0.225NiO4 隨溫度變化,量測電荷條紋
         (3.44 0 3)之積分強度與半高寬的比較	54
圖(4-5-2)  能量10KeV,La1.675Sr0.33NiO4 隨溫度變化,量測電荷條紋
         (4.66 0 3)之積分強度與半高寬的比較	58
圖(4-5-3) 能量10KeV,不同摻雜量的積分強度與半高寬之比較圖	60
圖(4-5-4)  La5/3Sr1/3NiO4,inverse correlation lengths	61
表(4-5-1) 低溫下電荷條紋之inverse correlation lengths	62
圖(5-1)   Ni離子游離分佈排列情況示意圖	66
參考文獻
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     and chemical physics.”
	
[19] 姚昌宏, 淡江大學碩士論文 (2008)
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