§ 瀏覽學位論文書目資料
  
系統識別號 U0002-1708201016250500
DOI 10.6846/TKU.2010.00454
論文名稱(中文) 區域成長奈米碳管及其散熱之研究
論文名稱(英文) Study on Regional Growth of Carbon Nanotubes and Its’ Application in Heat Dissipation
第三語言論文名稱
校院名稱 淡江大學
系所名稱(中文) 機械與機電工程學系碩士班
系所名稱(英文) Department of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering
外國學位學校名稱
外國學位學院名稱
外國學位研究所名稱
學年度 98
學期 2
出版年 99
研究生(中文) 李宗勳
研究生(英文) Tzung-Shiun Li
學號 696370849
學位類別 碩士
語言別 繁體中文
第二語言別
口試日期 2010-06-23
論文頁數 96頁
口試委員 指導教授 - 趙崇禮
委員 - 馬廣仁
委員 - 陳盈同
委員 - 陳大同
委員 - 周文成
關鍵字(中) 奈米碳管
熱熔
研磨拋光
熱壓
散熱
關鍵字(英) carbon nanotubes(CNT)
CVD
reflow
lapping
hot pressuring
heat dissipation
第三語言關鍵字
學科別分類
中文摘要
本研究主要是選擇區域成長多層奈米碳管。在本篇論文中利用熱熔後的金屬部分當遮罩做區域成長奈米碳管,而熱壓法和高溫研磨將鐵原子擴散於鋁基材和銅基材提供奈米碳管的成長,將這些樣品做散熱的試驗。結果證實了上面敘述的方法可以成功地區域成長奈米碳管,且含有奈米碳管的樣品散熱效果比原始基材來的好。
英文摘要
This research aimed to grow multi-wall CNTs in the selected area. The thermal reflow process was employed in this study to generate the mask for regional growth. Hot pressing and high temperature lapping were also used to diffuse iron into the aluminum alloy and brass substrates so that CNTs could grow on it. The obtained specimens were subsequently used to go through series heat dissipation tests. The results showed that CNTs could successfully grow on substrates using the proposed methods and the CNTs covered specimens exhibited the best heat dissipation efficiency amongst all the tested base materials.
第三語言摘要
論文目次
目錄
誌謝.......................................................................................................... I
中文摘要................................................................................................... II
英文摘要..................................................................................................III
目錄........................................................................................................ IV
圖目錄...................................................................................................... VI
表目錄...................................................................................................... XI
第1 章 序論...............................................................................................1
1-1 前言................................................................................................1
1-2 背景介紹........................................................................................2
1-3 研究動機與目的............................................................................6
第2 章 文獻回顧與理論基礎..................................................................8
2-1 奈米碳管的結構............................................................................8
2-2 奈米碳管的特性..........................................................................11
2-3 奈米碳管的製備方法..................................................................14
2-3-1 電弧放電法(Electric Arc-Discharge)..................................15
2-3-2 雷射蒸發法(Laser Ablation Process)..................................16
2-3-3 化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD).........16
2-3-4 太陽能法(Solar Energy Method) ........................................17
2-3-5 微波輔助化學氣相沉積法(MPE-CVD Method) ...............18
2-4 CVD 製備奈米碳管的原理.........................................................20
2-5 區域成長奈米碳管的歷史發展..................................................21
2-6 區域成長奈米碳管的成長機制..................................................31
2-7 區域成長奈米碳管發展與應用..................................................32
2-7-1 奈米探針.............................................................................32
2-7-2 場發射(Field Emission Display) .........................................34
2-7-3 微電子元件.........................................................................36
2-7-4 散熱之應用.........................................................................36
第3 章 實驗方法與設備........................................................................37
3-1 區域成長奈米碳管之原理與方法..............................................37
3-2 實驗流程......................................................................................39
3-3 實驗步驟......................................................................................40
3-4 實驗儀器......................................................................................43
第4 章 結果與討論................................................................................48
4-1 金屬熱熔後做區域成長奈米碳管..............................................48
4-1-1 在矽基材上鍍上不同厚度的金膜.....................................49
4-1-2 在矽基材上鍍上一層100 nm Ir 的單層膜.......................54
4-2 鋁(6063)及(鑄造)黃銅經Lapping 後成長奈米碳管.................58
4-2-1 以鋁(6063)當基材經Lapping 後成長奈米碳管...............58
4-2-2 以(鑄造)黃銅當基材經Lapping 後成長奈米碳管...........64
4-3 鋁(1050)和含氧化層的鋁(1050)經熱壓後成長奈米碳管........70
4-4 熱傳實驗......................................................................................79
第5 章 結果與討論................................................................................91
文獻參考...................................................................................................92
圖目錄
圖1-1 自然界物質的大小比較................................................................1
圖1-2 碳的同素異形體............................................................................2
圖1-3 (a)奈米碳管中空結構(b)碳纖維實心結構....................................5
圖1-4 C60 的分子結構...............................................................................6
圖2-1 Graphite Whisker、Vapor Grown Carbon Fiber、Carbon
Nanotube、Fullerences 彼此間直徑的比較圖..................................8
圖2-2 二維片狀的石墨結構圖................................................................9
圖2-3 奈米碳管各種結構圖 (a)Armchair (b)Zigzag (c)Chiral............10
圖2-4 不同型態的多層奈米碳管(a)螺旋型(b)Y 型(c)竹節型(d)魚骨型
..........................................................................................................11
圖2-5 電弧放電法製備奈米碳管簡圖..................................................15
圖2-6 雷射蒸發法簡圖..........................................................................16
圖2-7 化學氣相沉積法簡圖..................................................................17
圖2-8 太陽能法簡圖..............................................................................17
圖2-9 微波輔助化學氣相沉積法簡圖..................................................18
圖2-10 (a)觸媒粒子在基材上 (b)碳原子吸附在觸媒表面 (c)碳原子形
成奈米碳管後將觸媒抬起 (d)碳原子包覆整個觸媒...................20
圖2-11 Dai Group 做區域成長奈米碳管的實驗流程簡圖...................21
圖2-12 Dai Group 做區域成長奈米碳管SEM 實體圖.........................22
圖2-13 Wang 等人做區域成長奈米碳管,左圖:利用TEM 製備六角
方格的鐵圖樣 (a)六方格鐵圖樣表面(b)成長高度(c)分佈密度;右
上圖:利用E-Beam 和移除方式製備基材示意圖;右下圖(a)成長
完表面(b)斜視圖..............................................................................22
圖2-14 J.M. Xu 製成區域成長奈米碳管過程示意圖...........................23
圖2-15 Han 等人基材設計示意圖.........................................................23
圖2-16 Han 等人成長完區域性奈米碳管的SEM 圖...........................24
圖2-17 (a)稀硝酸蝕刻前留下的氧化鎳(b)稀硝酸蝕刻後留下的氧化鎳
(c)成長奈米碳管(d)單根奈米碳管.................................................25
圖2-18 左圖:二次成長完表面形貌。右圖:二次成長的高度區別25
圖2-19 上圖為大範圍的成長表面;下圖為小範圍成長表面............26
圖2-20 AAO 模板製備過程示意圖(a)基材上鍍鋁(b)電鍍(c)蝕刻(d)電
鍍(e)蝕刻..........................................................................................27
圖2-21 在AAO模板中成長奈米碳管陣列(a)奈米碳管生成前AAO形
貌(b)成長10 分鐘(c)成長15 分鐘.................................................27
圖2-22 Ding 等人實驗完(a)成長完表面(b)剖面圖...............................28
圖2-23 (a)~(d)奈米碳管生成直徑分別為5、2、1 和0.5 μm,碳管和
碳管間距皆為10 μm.......................................................................29
圖2-24 Dubosc 等人做區域成長過程示意圖........................................30
圖2-25 光阻移除後留下40 nm Ni 的點陣列.......................................30
圖2-26 成長完奈米碳管SEM 圖。左圖:直徑6 nm Ni,右圖:直徑
40 nm Ni ...........................................................................................30
圖2-27 成長機制示意圖(a)頂部成長模式 (b)底部成長模式.............32
圖2-28 左圖:奈米碳管探針。右圖矽探針........................................33
圖2-29 傳統奈米碳管製作探針過程簡圖(a)~(d).................................33
圖2-30 場發射簡圖................................................................................35
圖2-31 傳統金屬發射尖端....................................................................35
圖2-32 奈米碳管發射尖端....................................................................35
圖3-1 實驗流程圖..................................................................................39
圖3-2 鍍金鍍率表..................................................................................40
圖3-3 化學氣相沉積設備......................................................................43
圖3-4 化學氣相沉積設備示意圖..........................................................43
圖3-5 SEM(Hitachi S4160 型) ................................................................44
圖3-6 鍍金機..........................................................................................45
圖3-7 拋光機Model 900........................................................................45
圖3-8 行星式軌跡示意圖......................................................................46
圖3-9 熱拋機示意圖…………………………………………………..46
圖3-10 熱拋機Model CDL-380 ............................................................46
圖3-11 熱壓機Model 3853....................................................................47
圖3-12 ThermaCAM SC500……………………………………………47
圖4-1 金屬熱熔過程示意圖..................................................................48
圖4-2 鍍金鍍率表..................................................................................49
圖4-3 不同厚度金膜層對不同溫度熱熔完SEM 圖............................51
圖4-4 不同溫度對不同金膜層熱熔後,表面成長奈米碳管斜視圖..52
圖4-5 為SEM 在30 K 倍下拍攝奈米碳管的成長密度以及管徑大小
..........................................................................................................53
圖4-6 Ir 的單層膜...................................................................................54
圖4-7 Ir 膜層熱熔後成長奈米碳管表面斜視圖...................................56
圖4-8 一般基材與鍍有Ir 膜層在不同溫度成長奈米碳管的高度比較
..........................................................................................................56
圖4-9 SEM 在30 K 倍下拍攝奈米碳管的成長密度以及管徑大小....57
圖4-10 鋁(6063)拋光後 (a)未受Lapping (b) Lapping 30 分鐘(c)
Lapping60 分鐘................................................................................58
圖4-11 鋁(6063)Edx 分析......................................................................59
圖4-12 鋁(6063)Lapping 30 分鐘後Edx 分析.....................................59
圖4-13 鋁(6063)Lapping 60 分鐘後Edx 分析.....................................60
圖4-14 鋁加熱至800℃後表面及剖面圖.............................................61
圖4-15 鋁(6063)基材溫度與Lapping 時間對表面CNT 成長的比較一
..........................................................................................................62
圖4-16 鋁(6063)基材溫度與Lapping 時間對表面CNT 成長的比較二
..........................................................................................................63
圖4-17 黃銅拋光後(a)未Lapping(b) Lapping30 分鐘(c) Lapping60 分鐘
……………………………………………………………………..64
圖4-18 黃銅Edx 分析............................................................................65
圖4-19 黃銅Lapping 30 分鐘後Edx 分析...........................................65
圖4-20 黃銅Lapping 60 分鐘後Edx 分析...........................................66
圖4-21 鋁(6063)基材和銅基材Lapping 後擴散鐵原子分佈比較圖..66
圖4-22 銅基材溫度與Lapping 對時間表面CNT 成長的比較ㄧ ......68
圖4-23 銅基材溫度與Lapping 時間對表面CNT 成長的比較二......69
圖4-24 表面含30、60 μm 氧化層的鋁(1050)基材.............................70
圖4-25 未做氧化層的鋁(1050)經熱壓處理後表面形貌的變化.........71
圖4-26 含30 μm 氧化層的鋁(1050)經熱壓處理後表面形貌的變化.72
圖4-27 含60 μm 氧化層的鋁(1050)經熱壓處理後表面形貌的變化.73
圖4-28 未做氧化層的鋁(1050)加鐵粉後熱壓處理Edx 分析.............73
圖4-29 含30 μm 氧化層的鋁(1050)加鐵粉後熱壓處理Edx 分析....74
圖4-30 含60 μm 氧化層的鋁(1050)加鐵粉後熱壓處理Edx 分析....74
圖4-31 SEM 在50 倍下觀察鋁(1050)成長完CNT 表面.....................76
圖4-32 SEM 在1K 倍下觀察鋁(1050)成長完CNT 表面....................77
圖4-33 SEM 在30K 倍下觀察鋁(1050)成長完CNT 表面..................78
圖4-34 銅基材成長CNT 前後溫度對時間的變化..............................81
圖4-35 鋁(6063)基材成長CNT 前後溫度對時間的變化...................82
圖4-36 有無氧化層的鋁(1050)基材成長CNT 前後溫度對時間的變化
..........................................................................................................82
圖4-37 有無氧化層的鋁(1050)基材溫度對時間的變化.....................82
圖4-38 熱像儀0 秒拍攝........................................................................83
圖4-39 熱像儀30 秒拍攝......................................................................83
圖4-40 熱像儀1 分0 秒拍攝................................................................84
圖4-41 熱像儀1 分30 秒拍攝..............................................................84
圖4-42 熱像儀2 分0 秒拍攝................................................................85
圖4-43 熱像儀2 分30 秒拍攝..............................................................85
圖4-44 熱像儀3 分0 秒拍攝................................................................86
圖4-45 熱像儀3 分30 秒拍攝..............................................................86
圖4-46 熱像儀4 分0 秒拍攝................................................................87
圖4-47 熱像儀4 分30 秒拍攝..............................................................87
圖4-48 熱像儀5 分0 秒拍攝................................................................88
圖4-49 熱像儀5 分30 秒拍攝..............................................................88
圖4-50 熱像儀6 分0 秒拍攝................................................................89
圖4-51 熱像儀6 分30 秒拍攝..............................................................89
圖4-52 熱像儀7 分0 秒拍攝................................................................90
表目錄
表1-1 四種碳不同碳的同素異形體的比較............................................3
表1-2 奈米碳管的由來............................................................................4
表2-1 奈米碳管和其他碳物質的物理性性質比較..............................12
表2-2 單層奈米碳管的物理性質..........................................................13
表2-3 奈米碳管三大主要合成方法的比較..........................................19
表4-1 矽上鍍不同厚度金膜的CVD 成長奈米碳管參數...................49
表4-2 矽上鍍有Ir 膜層的CVD 成長奈米碳管參數...........................54
表4-3 鋁(6063)Lapping 完CVD 成長奈米碳管參數..........................60
表4-4 黃銅Lapping 完CVD 成長奈米碳管參數................................67
表4-5 有無氧化層的鋁(1050)加鐵粉熱壓完CVD 成長奈米碳管參數
......................................................................................................75
表4-6 熱傳導係數表..............................................................................79
表4-7 黃銅和鋁(6063)在成長CNT 前後加熱時每隔30 秒量一次溫度
......................................................................................................80
表4-8 鋁(1050)在成長CNT 前後加熱時每隔30 秒量一次溫度.......81
參考文獻
【1】	張智鈞, 奈米碳管, 高雄市市立瑞祥高級中學小論文比賽(2006)
【2】	M.L. Cohen, “Nanotubes, nanoscience, and nanotechnology”, Materials Science and Engineering C 15 (2001) pp.1-11
【3】	曾士豪、邱建超、戴念華, 奈米碳管之製程技術簡介, 真空科技 第19卷1期 pp. 18 
【4】	洪昭南、徐逸明、王宏達, 奈米碳管結構及特性簡介, 奈米級碳管之研發專刊 化工第49卷1期(2002)
【5】	T.A. Edison, US Patent 470 (1892) pp. 925 .(issued March15,1892) .
【6】	張自恭, C60-碳六十(Buckminsterfullerene), 國家高速網路與計心(2003)
【7】	W. Kratschmer, L. D. Lamb, K. Fostiropoulos, D. R. Huffman, Nature 347 (1990) pp.354
【8】	S. Iijima, “Helical microtubules of graphitic carbon”, Nature 354 (1911) pp. 56-58
【9】	A.G. Rinzler and J.H. Hafner, "Unraveling Nanotube:Field Emission from an Atomic Wire", Science 269 (1995) pp. 1550
【10】	P. Collins and P. Avouris, Scientific American, Dec. 2000, 38
【11】	黃建良、黃淑娟, 奈米纖維與奈米碳管合成技術簡介, 奈米製程專刊化工第50卷第2期(2003)
【12】	莊宴惠, 奈米碳管表面改質與複合材料合成之電性與導熱性量測, 國立成功大學航空太空工程系碩士論文(2008)
【13】	王財福, 催化劑影響奈米碳管成長, 國立東華大學材料科學與工程研究所碩士論文(2002)
【14】	黃世忭, 以化學氣相沉積法定向成長奈米碳管之研究, 淡江大學機械與機電工程學系碩士論文(2004)
【15】	林姿宜, 利用熱脫附法研究碳材的性質, 國立中山大學化學系研究所(2006)
【16】	M.S. Dresselhaus, G.Dresselhaus, and R. Satio, “Physics of carbon nanotubes” 33 (1995) pp. 883-891
【17】	N. Hamada, S. Sawada, A. Oshiyama, “New one-dimensional conductors:Graphitic microtubules”, Phys. Rev. Lett. 68 (1992) pp. 1579-1581
【18】	R. Saito, M. Fujita, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, “Electronic structure of chiral graphene tubules”, Appl. Phys. Lett. 60 (1992) pp. 2204-2206
【19】	L. Chico, V.H. Crespi, L.X. Benedict, S.G. Louie, M.L. Cohen, “Pure carbon nanoscale devices: Nanotube heterojunctions”, Phys. Rev. Lett. 76 (1996) pp. 971-974
【20】	http://www2.thu.edu.tw/~chemeng/ccdownload/ktli/nanotube.pdf,李國禎, 奈米碳管, 東海大學研究發展處(2005)
【21】	J. Lu, Carbon Nanotubes--The Material for the new Millennium, in The International Conference on Novel Formation Mechanisms and Physical Properties
【22】	P.G. Collins, P. Avouris, “Nanotubes for electronics”, Scientific American 283 (2000) pp. 62-69
【23】	A.G. Rinzler, J. Liu, H. Dai, P. Nikolaev, C.B. Huffman, F.J. Rodriguez-Macias, P.J. Boul, A.H. Lu, D. Heymann, D.T. Colbert, R.S. Lee, J.E. Fischer, A.M. Rao, P.C. Eklund, R.E. Smalley, “Large-scale purification of single-wall carbon nanotubes: Process, product and characterization”, Applied Physics A: Materials Scienc & Processing 67 (1998) pp. 29-37
【24】	A. Thess, R. Lee, P. Nikolaev, H. Dai, P. Petit, J. Robert, C. Xu, Y.H. Lee, S.G. Kim, A.G. Rinzler, D.T. Colbert, G.E. Scuseria, D. Tomanek, J.E. Fischer, R.E. Smalley, “Crystalline ropes of metallic carbon nanotubes”, Science 273 (1996) pp. 483-487
【25】	Y. Zhang, S. Iijima, “Formation of single-wall carbon nanotubes by laser ablation of fullerenes at low temperatures”, Appl. Phys. Lett. 75 (1999) pp. 3087-3089
【26】	C.J. Lee, S.C. Lyu, Y.R. Cho, J.H. Lee, K.I. Cho, “Diameter-controlled growth of carbon nanotubes using thermal chemical vapor deposition”, Chem. Phys. Lett. 341 (2001) pp. 245-249
【27】	E.F. Kukovitsky, S.G. L’vov, N.A. Sainov, V.A. Shustov, L.A. Chernozatonskii, “Correlation between metal catalyst particle size and carbon nanotube growth”, Chem. Phys. Lett. 341 (2001) pp. 245-249
【28】	T. Okaza, H. Shinohara, “Synthesis and characterization of single-wall carbon nanotubes by hot-filament assisted chemical vapor deposition”, Chen. Phys. Lett. 376 (2003) pp. 606-611
【29】	H.F. Cheng, C.L Li, Y.W. Chen, I.N. Lin, “Correlation between electron field emission property and in situ plasma spectroscopy for carbon nanotubes synthesized by using MPECVD method” Diamond & Related Materials 15 (2006) 859–862
【30】	S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. Dai, “Self-Oriented Regular Arrays of Carbon Nanotubes and Their Field Emission Properties”﹐Science, 283 (1999) pp. 512
【31】	H. Wang, J. Lin, C.H.A. Huan, P. Dong, J. He, S.H. Tang, W.K. Eng, T.L.J. Thong, “Controlled synthesis of aligned carbon nanotube arrays on catalyst patterned silicon substrate by plasma-enhanced chemical vapor deposition”, Applied Surface Science 181 (2001) pp. 248-254
【32】	J.M. Xu, “Highly ordered carbon nanotube arrays and IR detection”, Infrared Physics & Technology 42 (2001) pp. 485-491
【33】	J.H. Han, S. H. Choi , T.Y. Lee, J.B. Yoo, C.Y. Park, H.J. Kim, I.T. Han, S.G. Yu, W. Yi, G.S. Park, M. Yang, N.S. Lee, J.M. Kim, “Effects of growth parameters on the selective area growth of  carbon nanotubes”, Thin Solid Films 409 (2002) pp. 126–132
【34】	賴信文, 以原子力顯微術奈米氧化製作氧化鎳結構及其於奈米碳管選區成長的應用, 國立清華大學材料科學工程系碩士論文(2003)
【35】	S. Huang, “Controllable 3D architectures of aligned carbon nanotube arrays by multi-step processes”, Chemical Physics Letters 374 (2003) pp. 157–163
【36】	N. Hayashi, S.I. Honda, K. Tsuji, K.Y. Lee, T. Ikuno, K. Fujimoto, S. Ohkura, M. Katayama, K. Oura, T. Hirao, “Highly aligned carbon  nanotube arrays fabricated by bias sputtering”, Applied Surface Science 212–213 (2003) pp. 393–396
【37】	李常鉉, 以陽極氧化鋁模板在矽基材上輔助成長奈米結構材料, 國立交通大學材料科學與工程學研究所碩士論文(2005)
【38】	M.Q. Ding, X. Li, G. Bai, J.J. Feng, F. Zhang, F. Liao, “Fabrications of Spindt-type cathodes with aligned carbon nanotube emitters”, Applied Surface Science 251 
     (2005) pp. 201–204
【39】	M.J. Bronikowski, “CVD growth of carbon nanotube bundle arrays”, Carbon 44 (2006) pp. 2822–2832
【40】	M. Dubosc, T. Minea, M.P. Besland, C. Cardinaud, A. Granier, A. Gohier, S. Point, J. Torres, “Low temperature plasma carbon
     nanotubes growth on patterned catalyst”, Microelectronic
     Engineering 83 (2006) pp. 2427–243
【41】	R.T.K. Baker, M.A. Barber, P.S. Harris, F.S. Feates, R.J. Waite, “Nucleation and growth of carbon deposits from the nickel catalyzed decomposition of acetylene”, Journal of Catalysis 26 (1972) pp. 51-54
【42】	S. B. Sinnott, R. Andrews., D. Qian., A. M. Rao., Mao Z, E. C. Dickey, and F. Derbyshire, "Model of carbon nanotube growth through chemical vapor deposition," Chemical Physics Letters 315 (1999) pp. 25
【43】	張力行, 二十一世紀奈米技術的發展, 東成昌股份有限公司(2003)
【44】	陸大安, 奈米科技與表面科學, 國立中央大學物理系(2009)
【45】	謝明翰、顏嘉佑, 碳奈米與其應用, 奈米教學聯盟網
【46】	楊素華、藍慶忠, 奈米碳管場發射顯示器, 科學發展, 382 (2004)
【47】	T. W. Ebbesen, Carbon Nanotubes –Preparation and properties, CRC Press, New York, 1997
【48】	Applied Physics Letters, 90, 123105 (2007)
【49】	電子顯微鏡簡介, 國立中興大學研發處
【50】	何易霖, 紅外線熱像儀, 中央社新聞小百科(2004)
【51】	http://zh.wikipedia.org/zh-tw/, 維基百科, 自由的百科全書
論文全文使用權限
校內
紙本論文於授權書繳交後5年公開
同意電子論文全文授權校園內公開
校內電子論文於授權書繳交後5年公開
校外
同意授權
校外電子論文於授權書繳交後5年公開

如有問題,歡迎洽詢!
圖書館數位資訊組 (02)2621-5656 轉 2487 或 來信